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厂商型号

BSS159N H6906 

产品描述

MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS

内部编号

173-BSS159N-H6906

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:3000
1+¥2.2344
25+¥2.0804
100+¥2.0033
500+¥1.9262
1000+¥1.8492
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:5694
1+¥4.3761
10+¥3.4325
100+¥2.2154
1000+¥1.771
3000+¥1.4975
6000+¥1.4975
24000+¥1.3812
42000+¥1.3265
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:6222
1+¥4.6355
10+¥4.0831
100+¥3.149
500+¥2.3325
1000+¥1.8659
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSS159N H6906产品详细规格

规格书 BSS159N H6906 datasheet 规格书
BSS159N
BSS159N H6906 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 230mA
Rds(最大)@ ID,VGS 3.5 Ohm @ 160mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 26µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 2.9nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 44pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Depletion Mode
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 230mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.4V @ 26µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.5 Ohm @ 160mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 360mW
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 44pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 2.9nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称 BSS159N H6906CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 0.23 A
封装/外壳 PG-SOT23-3
零件号别名 BSS159NH6906XTSA1 SP000702636
下降时间 9 ns
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 0.19 S
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 9 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 BSS159
RDS(ON) 3.5 Ohms
功率耗散 0.36 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 2.9 ns
漏源击穿电压 60 V
栅极电荷Qg 2.2 nC
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - 3.5 V
宽度 1.3 mm
Qg - Gate Charge 1.4 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
产品 MOSFET Small Signal
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 230 mA
长度 2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.7 Ohms
通道模式 Depletion
身高 1.1 mm
典型导通延迟时间 3.1 ns
Pd - Power Dissipation 360 mW
技术 Si

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