#1 |
数量:3000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:5694 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:6222 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
BSS159N |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Depletion Mode |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 230mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 26µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 2.9nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 44pF @ 25V |
功率 - 最大 | 360mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Depletion Mode |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 230mA |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.4V @ 26µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 360mW |
标准包装 | 3,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 44pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 2.9nC @ 5V |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名称 | BSS159N H6906CT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 0.23 A |
封装/外壳 | PG-SOT23-3 |
零件号别名 | BSS159NH6906XTSA1 SP000702636 |
下降时间 | 9 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 0.19 S |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 9 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | BSS159 |
RDS(ON) | 3.5 Ohms |
功率耗散 | 0.36 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 2.9 ns |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅极电荷Qg | 2.2 nC |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 3.5 V |
宽度 | 1.3 mm |
Qg - Gate Charge | 1.4 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 230 mA |
长度 | 2.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.7 Ohms |
通道模式 | Depletion |
身高 | 1.1 mm |
典型导通延迟时间 | 3.1 ns |
Pd - Power Dissipation | 360 mW |
技术 | Si |
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